型号: | FQU13N10LTU | RoHS: | 无铅 / 符合 |
---|---|---|---|
制造商: | Fairchild Semiconductor | 描述: | MOSFET N-CH 100V 10A IPAK |
详细参数 |
数值 |
---|---|
产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 70 |
系列 | QFET™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 180 毫欧 @ 5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 520pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
供应商设备封装 | I-Pak |
包装 | 管件 |